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東微半導體自主研發(fā)的SGT-MOS實(shí)現量產(chǎn)

2016-12-30

東微半導體的SGT-MOS實(shí)現量產(chǎn)，SGT-MOS采用垂直自對準半浮柵器件的類(lèi)似制造流程，兼備了傳統平面結構和SGT結構的功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)，并具有更高的工藝穩定性和可靠性及更快的開(kāi)關(guān)速度、更小的柵電荷和更高的應用效率等優(yōu)點(diǎn)
東微半導體量產(chǎn)充電樁用核心功率半導體器件

2016-04-13

2016年4月，東微半導體在國內率先量產(chǎn)650V80A快恢復GreenMOS產(chǎn)品，并批量進(jìn)入直流充電樁領(lǐng)域，打破了這一領(lǐng)域國外廠(chǎng)商的壟斷，人民日報等主流媒體均進(jìn)行了詳細報道
東微半導體發(fā)布GreenMOS系列產(chǎn)品

2015-06-30

為適應電源系統高效率小型化的需求，東微半導體從2014年開(kāi)始在華虹宏力開(kāi)發(fā)新一代超級結技術(shù),并于2015年第二季度推出了新型的GreenMOS系列高壓MOSFET產(chǎn)品
科技部副部長(cháng)曹健林視察東微半導體

2014-05-06

2014年5月，在省政協(xié)副主席、省科技創(chuàng )新工作領(lǐng)導小組副組長(cháng)徐南平及市委副書(shū)記、市長(cháng)周乃翔的陪同下，科技部副部長(cháng)曹健林視察東微半導體研發(fā)進(jìn)展，高度贊揚了東微半導體在基礎元器件上下的功夫和創(chuàng )新能力，鼓勵團隊加速產(chǎn)業(yè)化，打破國外廠(chǎng)商的壟斷。
半浮柵晶體管原創(chuàng )成果在美國《science》雜志上發(fā)表

2013-08-09

2013年8月，東微半導體原創(chuàng )的半浮柵晶體管技術(shù)論文在美國《science》雜志上發(fā)表，標志著(zhù)國內科學(xué)家在半導體核心技術(shù)方向獲得重大突破。
東微半導體制造出世界上首個(gè)半浮柵晶體管

2012-09-28

在東微半導體團隊的堅持和不懈努力下，2012年9月，世界上首個(gè)半浮柵晶體管（Semi-Floating gate Transistor）被研制成功，作為一種新型的基礎器件，半浮柵晶體管可應用于SRAM（即靜態(tài)隨機存儲器）和DRAM（即動(dòng)態(tài)隨機存儲器領(lǐng)域）。

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