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產(chǎn)品
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IGBT

東微的IGBT芯片采用特有的Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBT)器件結構,以得到更低的導通壓降與更小的開(kāi)關(guān)損耗。目前公司已先后推出第一代及第二代TGBT多個(gè)系列產(chǎn)品,涵蓋600V~1350V電壓,適合應用于光伏儲能逆變、直流充電樁、汽車(chē)主驅、UPS等領(lǐng)域。公司亦開(kāi)發(fā)出超高速系列(E系列)TGBT,工作頻率達到60-100KHz,可以在滿(mǎn)足電源系統進(jìn)一步高頻化的同時(shí),實(shí)現更高的效率。

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下載資料
Package   P/N   VGE (V) BV (V) IC (A) Vth_typ(V) Von(V)
Tc=25℃ Vcesat Vf

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